実装基板や材料基板の実測定が可能に！！

高周波誘電率測定システム

製品情報

特長
アプリケーション

特長

● 高周波領域（～10MHz）でのC-V測定が可能
● I-V微小電流測定（ノイズ：10pA以下）※オプションで10fA以下対応可能
● 温度可変（常温～70℃）※オプションで-65℃～400℃対応可能

測定項目	C-V測定／I-V測定
	表面 ─ チャック間（プローブ使用）
	表面 ─ 表面間
測定用波数	40kHz～10MHz
測定温度	常温～70℃（オプション-65℃～400℃）

アプリケーション

有機材料

液晶材料、感光材料、レジスト材料、トナー材料、

高分子電解質燃料電池、コンデンサー材料

セラミック材料

半導体絶縁材料、電子部品、センサー材料、強誘電率材料、

セラミック電解質、燃料電池

他

高抵抗基板、デバイス絶縁体　等

製品名	CPS Disc Centrifuge

特徴
測定原理	ディスク遠心式
測定範囲	0.01～40μm （粒子密度に依存）
最大遠心力	600～12,000 rpm (Model DC12000) 600～18,000 rpm (Model DC18000) 600～24,000 rpm (Model DC24000UHR)
測定セル	ディスク式（材質：CR-39）
対応濃度
対応粘度
測定時間	3～30分（測定範囲、粒子密度に依存）
温度制御
測定光源	発光ダイオード 405nm or 470nm選択
その他
カタログのお申込み	カタログのお申込み ※同業・競業他社様につきましては、カタログ請求をご遠慮いただくようお願いいたします。

製品名	モフォロギシリーズ

特徴	全自動で粒子径と粒子形状を測定
測定原理	静的自動画像分析（乾式/湿式）
測定範囲	0.5µm – 1300µm 2.5x：8.5 µm～1300 µm（公称値） 5x：4.5 µm～520 µm（公称値） 10x：2.5 µm～260 µm（公称値） 20x：1.5 µm～130 µm（公称値） 50x：0.5 µm～50 µm（公称値）
測定量	スライドガラス4枚分
測定時間
その他	ラマンスペクトルを用いた粒子の化学情報の取得ウエットセルによる液中粒子の分析
カタログのお申込み	カタログのお申込み ※同業・競業他社様につきましては、カタログ請求をご遠慮いただくようお願いいたします。

モデル名		VSS-450-300	RVS-210	RSS-210-S
外観
特徴		・真空、N2、H2、ギ酸対応・フラックス入り/無しのはんだに対応・搬送ロボット/ローダーとの組合せ『可』・300mm角対応	・大気、真空、N2、H2、ギ酸対応・フラックス入り/無しのはんだに対応・200mm角対応	・大気、真空、N2、H2、ギ酸対応・毎分240k/minの高速昇温・200mm角対応
加熱プレートサイズ	WxD(mm)	320×320	210×210	210×210
有効対象物サイズ	WxDxH(mm)	300×300×50	200×200×50	200×200×50
最大到達温度		450℃	400℃	400℃
加熱方式		クロス配列IRヒーター（下部加熱）	IRヒーター（下部加熱）	IRヒーター（下部加熱）
温度制御方式		P.I.D.制御方式
プレート上面内温度差		設定温度に対して±1%以内		設定温度に対して±1%以内
プレート上面内温度差		（対象物：Φ300mmウエハ時）	（対象物：Φ200mmウエハ時）	（対象物：Φ200mmウエハ時）
最大昇温速度 ※対象物の熱容量に因る		150K/min.	120K/min	240K/min
最大降温速度 ※対象物の熱容量に因る		90K/min（T=450℃>200℃） 60K/min（T=200℃>100℃）	120K/min（T=400℃>200℃） —	120K/min（T=400℃>200℃） —
チャンバー真空耐久度		0.1 Pa（10^-3hPa）
プロセスガス供給ライン		マスフローコントローラ×1（最大流量：5nlm）
コントローラ		タッチパネルコントローラSIMATIC®TP-700
プロファイルプログラム登録数		最大：50プログラム
プログラムステップ数		最大：50ステップ
チャンバー冷却方式		ウォータージャケット方式
加熱プレート冷却方式		水冷/空冷（共用可）
装置サイズ	WxDxH(mm)	550x690x830	670x544x320	430x295x290
装置重量	(kg)	約105kg	約45kg	約22kg
電源仕様		三相200V・40A	三相200V・25A	三相200V・16A
ギ酸・水素還元両対応卓上型真空はんだリフロー装置　装置オプション
上部IRヒーターモジュール	標準	○ （電源仕様：三相200V、80A）	—
上部IRヒーターモジュール	セパレート用石英ガラス板	○	—
チャンバー高さ		○（120mm）	チャンバー高さ80mm	チャンバー高さ80mm
最大到達温度		650℃		最大到達温度500℃
蓋付きグラファイト製円筒アダプタ		—	—
グラファイト製プレート	標準	—	—
	PyC浸潤	—	—
	SiCコーティング	—	—
ダブルチャンバー		—	—
石英ガラス製チャンバー	標準	—	—
石英ガラス製チャンバー	高真空対応	—	—
内蔵ギ酸還元モジュール	内蔵（標準の窒素ガスMFC共用）	○
	内蔵（標準の窒素ガスMFC別系統）	○
	外付け（標準の窒素ガスMFC別系統）	○
ギ酸ガス除去用ケミカルフィルター		○
フラックストラップフィルター		—	—
高濃度水素ガス供給システム（安全対策オプション含む）		○
チャンバー蓋インターロック		（標準装備）	○
追加プロセスガス供給用マスフローコントローラ		○ （合計4系統）
追加熱電対（対象物温度測定・記録用）		○ （合計1本）	○ （合計3本）
湿度測定センサ（チャンバー内湿度測定・記録用）		○		—
酸素濃度測定センサ（チャンバー内残留酸素濃度測定・記録用）		○
3色パトライト（赤・黄・緑）		○
高真空対応チャンバー10-4Pa（10-6hPa）及びターボ分子ポンプ		○
対象物持ち上げ用リフトピン		○
外部機器通信用シリアル通信機能		○
チャンバー蓋開閉用リモート制御機能		○
真空ポンプ（真空到達圧）	低真空	○ （メンブレン式(200Pa)、耐腐食メンブレン式(200Pa)、ロータリー式(0.1Pa)、耐腐食ロータリー式(0.1Pa)、スクロール式(0.3Pa)、ドライ式(5Pa)から選択）
真空ポンプ（真空到達圧）	高真空	○ ターボ分子ポンプ（10-4Pa）
冷却機付きチラー	1.3kW	○ （5.3kW or 8.7kW）	○ （1.3kW or 2.7kW）	○ （1.3kW or 2.7kW）
ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー		○ （504x714x412mm、約50kg）

RSO-200	RSS-3X210-S	RSS-160-S	RSS-110-S

・大気、真空、N2、H2、ギ酸対応
155×155×40	620×200×50	155×155×40	105×105×40
650℃	300℃	400℃
	クロス配列IRヒーター（下部加熱）	カートリッジヒーター（下部加熱）