サンプルセットが容易で高再現測定

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  • 高温・交流ホール効果測定装置

永久磁石による磁場印加機構を採用し、小型・低コスト化を実現。温度可変、ガス置換システムを搭載し、試料加熱とガス雰囲気制御下での電気特性、温度依存性の試験が可能となった、半導体基礎物性評価装置です。

製品情報

特徴

電磁石レスによる省エネ・省スペース設計

AC100Vで動作する為、大電流設備は不要！
発生磁場強度は4kOeなので、高い再現性を得られます。

 

ワイヤボンダ不要！サンプルセットが簡単な試料ホルダー

ばね板プローブで試料を固定する方式なので、試料のセット・交換が容易です。

 

どなたでも簡単・確実な測定手順

膜厚、サンプリング数、測定温度などのパラメータを入力。測定開始後は自動で比抵抗、ホール電圧、ホール係数、ホール移動度、キャリアタイプ（p型・n型）、キャリア濃度を算出します。

 

【▼設定画面】

【▼結果画面】

 

高温環境、ガス雰囲気制御下での測定

室温～800℃の加熱、窒素雰囲気下や真空中での測定が可能です。

アプリケーション

◆Al添加ZnO膜
　昇温により移動度が上昇し、降温しても高移動度が維持された。
　⇒アニール効果

 


◆p型Si膜
　高温において熱励起キャリアによりホール係数の極性が反転している。

 

※その他、SiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)・ダイヤモンド・SnO2（酸化スズ）
　半導体などの測定実績がございます。

仕様

◆計測ユニット部

測定方法： van der Pauw法
最大印加電流： ±200mA
試料印加電圧： ±15V以内
抵抗測定範囲： 10 -5 ～10 6 Ω
移動度測定範囲： 10 -1 ～10 6 cm 2 /V/s

　
◆必要ユーティリティ

電源： 100V15A、冷却水、窒素ガスライン

　

◆磁場印加機構 　

測定温度： 室温～800℃
試料設置環境： 窒素ガス中（大気圧）もしくは真空中

　
◆測定環境
　永久磁石を用いた交流磁場精製
　磁場強度：～4kOe

 

◆ 装置サイズ
　1010×720×700(950)mm
　排気ポンプ、冷却水循環装置含まず