HOME > 商品のご紹介 >有機薄膜の深さ方向分析に有効!斜め切削法でTOF-SIMSなどのサンプル作成が可能 株式会社三ツワフロンテック
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表面界面物性解析装置
有機薄膜の深さ方向分析に有効!
斜め切削法でTOF-SIMSなどのサンプル作成が可能
 
有機薄膜の深さ方向の分析がしたい イオンエッチングでは官能基を破壊・変質 斜め切削法+表面分析 ダメージなしで深さ分析! 表面界面物性解析装置
表面界面物性解析装置 説明
サブミクロンオーダーの有機薄膜や多層膜などでは、 深さ方向分析が必要とされています。 しかし、従来のイオンエッチング法では、官能基を破壊するため、有機物が変質してしまい、 正確な分析ができないという問題がありました。
斜め切削法を用いることにより、 サンプルにダメージをあたえることなく、 深さ分析用のサンプルを作成することができます。
 
 
■斜め切削法とは   ■サンプル例
表面界面物性解析装置 説明 表面界面物性解析装置 説明 表面界面物性解析装置 説明
斜め切削法とは   700nmレジスト膜切削サンプル(長距離斜めカット)
有機薄膜サンプルに対し、浅い角度で斜めに切削を行います。
切削断面をTOF-SIMSなどで表面分析することで、エッチングを行わずに、深さ方向の分析が可能です。
  700nmレジスト膜
切削サンプル
(長距離斜めカット)
 
■分析応用例
表面界面物性解析装置 説明
各種の表面分析と斜め切削法との組み合わせで、
有機薄膜にダメージを与えずに、深さ方向分析が可能です。
表面界面物性解析装置 説明
●TOF-SIMS
●顕微FT-IR
●イメージングIR
●XPS
●熱物性顕微鏡・・・ナノ薄膜とミクロ領域の熱分析分布測定
 
■用途
表面界面物性解析装置 説明
各分野の機能性有機薄膜の深さ方向分析に
表面界面物性解析装置 説明
●有機EL
●レジスト
●UV硬化樹脂
●Low-k膜
●塗膜
●燃料電池 等
表面界面物性解析装置サイカス表面界面物性解析装置サイカス
 
★その他、界面密着強度、せん断強度の評価にも応用が可能です★
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